+7(3812)790055

Моя корзина

(пусто)

Ваш баланс:

0.00 руб.

Валюта:

Каталог

Блог / Новости

Голосование

Главная » Транзисторы » Mosfeet

Транзисторы МОП (MOSFET)

Версия для печати

40N60FD2

Артикул: 17688

40N60FD2 600V 80A - мощный N-канальный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) со встроенным антипараллельным диодом.

40N60FD2

40N60FD2

Оценить

-.--

Нет на складе

Мощный N-канальный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) со встроенным антипараллельным диодом - Silan Microelectronics - 40N60FD2

Другие партии:

22.01.2026 - 180pуб. - В наличии

Отзывы

Нет отзывов об этом продукте

Написать отзыв

Есть вопросы?

Вы можете задать нам вопрос(ы) с помощью следующей формы.

Имя:

Email

Пожалуйста, сформулируйте Ваши вопросы относительно 40N60FD2:

Введите число, изображенное на рисунке

© РеКомБ .